IAUT300N08S5N011ATMA1
Infineon Technologies
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies IAUT300N08S5N011ATMA1
| Artikelnummer: | IAUT300N08S5N011ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $6.209 |
| 100+ | $5.1404 |
| 500+ | $4.4762 |
| 1000+ | $3.8987 |
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-
Infineon Technologies IAUT300N08S5N011ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IAUT300N08S5N011ATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 275µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-1 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 100A, 10V Verlustleistung (max) 375W (Tc) Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16250 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 231 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 410A (Tj) -
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